TK4R3E06PL,S1X
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| Numero di parte | TK4R3E06PL,S1X |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.812 | $0.655 | $0.589 | $0.458 | $0.38 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK4R3E06PL,S1X | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 101655 pcs | Scheda dati | TK4R3E06PL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 500µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 | Serie | U-MOSIX-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 15A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 87W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | TK4R3E06PL,S1X(S TK4R3E06PLS1X |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3280pF @ 30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48.2nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 80A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
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