TK4P60DB(T6RSS-Q)
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| Numero di parte | TK4P60DB(T6RSS-Q) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK4P60DB(T6RSS-Q) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4784 pcs | Scheda dati | TK4P60DB |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D-Pak | Serie | π-MOSVII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2 Ohm @ 1.9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | TK4P60DBT6RSSQ | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 3.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
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