TK40E10K3,S1X(S
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| Numero di parte | TK40E10K3,S1X(S |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.627 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK40E10K3,S1X(S | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 51983 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Serie | U-MOSIV | Rds On (max) a Id, Vgs | 15 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | - | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 | Altri nomi | TK40E10K3S1X(S TK40E10K3S1XS |
| temperatura di esercizio | - | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 40A (Ta) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
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