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TK42A12N1,S4X

TK42A12N1,S4X
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Numero di parte TK42A12N1,S4X
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 120V 42A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 52124 pcs
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Numero di parte TK42A12N1,S4X fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 120V 42A TO-220 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 52124 pcs Scheda dati TK42A12N1
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220SIS Serie U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs 9.4 mOhm @ 21A, 10V Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi TK42A12N1,S4X(S
TK42A12N1,S4X-ND
TK42A12N1S4X		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 120V Descrizione dettagliata N-Channel 120V 42A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)

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