TK32E12N1,S1X
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| Numero di parte | TK32E12N1,S1X |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N CH 120V 60A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.571 | $0.458 | $0.40 | $0.31 | $0.245 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK32E12N1,S1X | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N CH 120V 60A TO-220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 95090 pcs | Scheda dati | TK32E12N1 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 500µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 | Serie | U-MOSVIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 16A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 98W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1S1X |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 60V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 120V | Descrizione dettagliata | N-Channel 120V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
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