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TK31N60X,S1F

TK31N60X,S1F
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Numero di parte TK31N60X,S1F
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 30399 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte TK31N60X,S1F fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 30399 pcs Scheda dati TK31N60X
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1.5mA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 Serie DTMOSIV-H
Rds On (max) a Id, Vgs 88 mOhm @ 9.4A, 10V Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
Altri nomi TK31N60X,S1F(S
TK31N60XS1F		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET Super Junction Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30.8A (Ta)

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