TK20V60W5,LVQ
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| Numero di parte | TK20V60W5,LVQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.215 | $1.086 | $0.89 | $0.721 | $0.608 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK20V60W5,LVQ | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 62600 pcs | Scheda dati | TK20V60W5 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-DFN-EP (8x8) | Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 4-VSFN Exposed Pad |
| Altri nomi | TK20V60W5LVQCT | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 20A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
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