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TK20V60W,LVQ

TK20V60W,LVQ
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Numero di parte TK20V60W,LVQ
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 34043 pcs
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Numero di parte TK20V60W,LVQ fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 20A 5DFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 34043 pcs Scheda dati TK20V60W
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 4-DFN-EP (8x8) Serie DTMOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs 170 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 4-VSFN Exposed Pad
Altri nomi TK20V60WLVQCT temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET Super Junction Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 20A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)

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