TK14G65W,RQ
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| Numero di parte | TK14G65W,RQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.431 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK14G65W,RQ | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 88248 pcs | Scheda dati | TK14G65W |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 690µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK | Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 250 mOhm @ 6.9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | TK14G65W,RQ(S TK14G65WRQTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 13.7A (Ta) |
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