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TK14A65W,S5X

TK14A65W,S5X
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Numero di parte TK14A65W,S5X
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 56252 pcs
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Numero di parte TK14A65W,S5X fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 56252 pcs Scheda dati TK14A65W
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 690µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220SIS Serie DTMOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs 250 mOhm @ 6.9A, 10V Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi TK14A65W,S5X(M
TK14A65W,S5X-ND
TK14A65WS5X		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V Descrizione dettagliata N-Channel 650V 13.7A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13.7A (Ta)

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