TK12Q60W,S1VQ
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| Numero di parte | TK12Q60W,S1VQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK12Q60W,S1VQ | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4325 pcs | Scheda dati | TK12Q60W |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.7V @ 600µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 340 mOhm @ 5.8A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Altri nomi | TK12Q60WS1VQ | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Super Junction | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta) |
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