TK12A60D(STA4,Q,M)
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| Numero di parte | TK12A60D(STA4,Q,M) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.547 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK12A60D(STA4,Q,M) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 55119 pcs | Scheda dati | TK12A60DMosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SIS | Serie | π-MOSVII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 550 mOhm @ 6A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi | TK12A60D(STA4QM) TK12A60DSTA4QM |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
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