TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
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| Numero di parte | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.188 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 119519 pcs | Scheda dati | TJ8S06M3LMosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +10V, -20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK+ | Serie | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 104 mOhm @ 4A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 27W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | TJ8S06M3L(T6L1NQ) TJ8S06M3LT6L1NQ |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | P-Channel 60V 8A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
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