SSM3K361TU,LF
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| Numero di parte | SSM3K361TU,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.065 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM3K361TU,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 300933 pcs | Scheda dati | SSM3K361TU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | UFM | Serie | U-MOSVIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 69 mOhm @ 2A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 3-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi | SSM3K361TU,LF(B SSM3K361TULF SSM3K361TULF(B SSM3K361TULFTR |
temperatura di esercizio | 175°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 3.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount UFM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
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