SSM3K35AMFV,L3F
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| Numero di parte | SSM3K35AMFV,L3F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.013 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM3K35AMFV,L3F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1755361 pcs | Scheda dati | SSM3K35AMFV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | VESM | Serie | U-MOSIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-723 |
| Altri nomi | SSM3K35AMFV,L3F(B SSM3K35AMFV,L3F(T SSM3K35AMFVL3F(B SSM3K35AMFVL3F(T SSM3K35AMFVL3FTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
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