SSM3K318T,LF
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| Numero di parte | SSM3K318T,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM3K318T,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4067 pcs | Scheda dati | SSM3K318T |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TSM | Serie | U-MOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 107 mOhm @ 2A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | SSM3K318TLFDKR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
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