SSM3K302T(TE85L,F)
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| Numero di parte | SSM3K302T(TE85L,F) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 3A TSM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM3K302T(TE85L,F) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 3A TSM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5290 pcs | Scheda dati | SSM3K302T |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TSM | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 71 mOhm @ 2A, 4V | Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | SSM3K302T(TE85LF)DKR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 4V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
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