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RN4987FE,LF(CB

RN4987FE,LF(CB
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Numero di parte RN4987FE,LF(CB
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1260068 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte RN4987FE,LF(CB fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1260068 pcs Scheda dati RN4987FE
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore ES6 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 100mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 Altri nomi RN4987FE(T5LFT)CT
RN4987FE(T5LFT)CT-ND
RN4987FELF(CBCT
RN4987FELF(CTCT
RN4987FELF(CTCT-ND
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 250MHz, 200MHz Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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