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RN49A2,LF(CT

RN49A2,LF(CT
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Numero di parte RN49A2,LF(CT
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1275859 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte RN49A2,LF(CT fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1275859 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore US6 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potenza - Max 200mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Altri nomi RN49A2LF(CTCT
RN49A2T5LFTCT
RN49A2T5LFTCT-ND
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 250MHz, 200MHz Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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