RN2427TE85LF
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| Numero di parte | RN2427TE85LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.034 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RN2427TE85LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 674448 pcs | Scheda dati | RN2421-27 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA | Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | S-Mini | Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms | Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Potenza - Max | 200mW | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Altri nomi | RN2427(TE85L,F) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 11 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 200MHz | Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 800mA |
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