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RN2422TE85LF

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Numero di parte RN2422TE85LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 677072 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte RN2422TE85LF fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 677072 pcs Scheda dati RN2421-27
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore S-Mini Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 200mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Altri nomi RN2422(TE85L,F)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 11 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 200MHz Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 65 @ 100mA, 1V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 800mA

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