RN1905,LF
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| Numero di parte | RN1905,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RN1905,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4792 pcs | Scheda dati | RN1901-06 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | Tipo transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | US6 | Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms | Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Potenza - Max | 200mW | imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Altri nomi | RN1905LFDKR |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frequenza - transizione | 250MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6 | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA | Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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