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RN1906,LF

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Numero di parte RN1906,LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5962 pcs
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Numero di parte RN1906,LF fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5962 pcs Scheda dati RN1901-06
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore US6 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potenza - Max 200mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Altri nomi RN1906LFTR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 250MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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