MT3S20TU(TE85L)
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| Numero di parte | MT3S20TU(TE85L) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.214 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MT3S20TU(TE85L) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 93273 pcs | Scheda dati | MT3S20TU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 12V |
| Tipo transistor | NPN | Contenitore dispositivo fornitore | UFM |
| Serie | - | Potenza - Max | 900mW |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 3-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi | MT3S20TU(TE85L)CT | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Di rumore (dB tip @ f) | 1.45dB @ 20mA, 5V | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno | 12dB | Frequenza - transizione | 7GHz |
| Descrizione dettagliata | RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 900mW Surface Mount UFM | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 80mA |
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