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MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)
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Numero di parte MT3S111P(TE12L,F)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 105965 pcs
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Numero di parte MT3S111P(TE12L,F) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 105965 pcs Scheda dati MT3S111P
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 6V
Tipo transistor NPN Contenitore dispositivo fornitore PW-MINI
Serie - Potenza - Max 1W
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-243AA
Altri nomi MT3S111P(TE12LF)CT temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Di rumore (dB tip @ f) 1.25dB @ 1GHz Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Guadagno 10.5dB
Frequenza - transizione 8GHz Descrizione dettagliata RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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