HN2C01FE-GR(T5L,F)
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| Numero di parte | HN2C01FE-GR(T5L,F) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HN2C01FE-GR(T5L,F) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4147 pcs | Scheda dati | HN2C01FE |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | Tipo transistor | 2 NPN (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | ES6 | Serie | - |
| Potenza - Max | 100mW | imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 | Altri nomi | HN2C01FE-GR(T5LF)DKR |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 60MHz | Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 150mA |
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