HN2A01FU-GR(TE85LF
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| Numero di parte | HN2A01FU-GR(TE85LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HN2A01FU-GR(TE85LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 3977 pcs | Scheda dati | HN2A01FU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | Tipo transistor | 2 PNP (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | US6 | Serie | - |
| Potenza - Max | 200mW | imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Altri nomi | HN2A01FU-GR(TE85LF)CT HN2A01FU-GR(TE85LF)CT-ND HN2A01FU-GR(TE85LFCT |
| temperatura di esercizio | 125°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 80MHz | Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 150mA |
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