1SS193S,LF(D
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| Numero di parte | 1SS193S,LF(D |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 1SS193S,LF(D | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4969 pcs | Scheda dati | 1SS193 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.2V @ 100mA |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 80V | Contenitore dispositivo fornitore | S-Mini |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 4ns | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Altri nomi | 1SS193SLF(D |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | 125°C (Max) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo | Standard | Descrizione dettagliata | Diode Standard 80V 100mA Surface Mount S-Mini |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 500nA @ 80V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 100mA |
| Capacità a Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
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