1SS187,LF
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| Numero di parte | 1SS187,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.014 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 1SS187,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1764394 pcs | Scheda dati | ISS187 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.2V @ 100mA |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 80V | Contenitore dispositivo fornitore | S-Mini |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 4ns | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | 1SS187LF | Temperatura di funzionamento - Giunzione | 125°C (Max) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo diodo | Standard |
| Descrizione dettagliata | Diode Standard 80V 100mA Surface Mount S-Mini | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 500nA @ 80V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 100mA | Capacità a Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
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