TH58NYG2S3HBAI4
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| Numero di parte | TH58NYG2S3HBAI4 |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Memory America, Inc. |
| Descrizione | 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 210 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.095 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | TH58NYG2S3HBAI4 | fabbricante | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 18508 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 25ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.95 V | Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 63-TFBGA (9x11) | Serie | - |
| Contenitore / involucro | 63-VFBGA | temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) | Interfaccia di memoria | - |
| Formato di memoria | FLASH | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11) |
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