TH58BYG2S3HBAI6
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| Numero di parte | TH58BYG2S3HBAI6 |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Memory America, Inc. |
| Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 50 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.252 | $2.055 | $2.016 | $2.002 | ||
| 100 pcs | 338 pcs | 676 pcs | 1014 pcs | ||
| $1.796 | $1.789 | $1.678 | $1.606 | ||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | TH58BYG2S3HBAI6 | fabbricante | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 21389 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 25ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.95 V | Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 67-VFBGA (6.5x8) | Serie | Benand™ |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 67-VFBGA |
| Altri nomi | TH58BYG2S3HBAI6JDH TH58BYG2S3HBAI6YCL |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Non-Volatile | Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
| Tempo di accesso | 25ns |
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