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STW30NM60ND

STW30NM60ND
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Numero di parte STW30NM60ND
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 12734 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte STW30NM60ND fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 12734 pcs Scheda dati STx30NM60ND
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 Serie FDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs 130 mOhm @ 12.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
Altri nomi 497-8458-5 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)

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