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STW33N60DM2

STW33N60DM2
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Numero di parte STW33N60DM2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 24A
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 40330 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs1020 pcs
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Numero di parte STW33N60DM2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 24A Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 40330 pcs Scheda dati ST(B,P,W)33N60DM2
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 Serie MDmesh™ DM2
Rds On (max) a Id, Vgs 130 mOhm @ 12A, 10V Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
Altri nomi 497-16353-5 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)

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