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STS4DNFS30

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Numero di parte STS4DNFS30
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 75440 pcs
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Numero di parte STS4DNFS30 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 75440 pcs Scheda dati STS4DNFS30
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi 497-6187-1 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 4.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)

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