STS4C3F60L
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| Numero di parte | STS4C3F60L |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.233 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STS4C3F60L | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 88845 pcs | Scheda dati | STS4C3F60L |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | STripFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 55 mOhm @ 2A, 10V | Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | 497-4396-2 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 4.5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 60V 4A, 3A 2W Surface Mount 8-SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A, 3A |
| Numero di parte base | ST*4C3F |
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