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STL18N65M2

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Numero di parte STL18N65M2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 97594 pcs
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Numero di parte STL18N65M2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 97594 pcs Scheda dati STL18N65M2
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) HV Serie MDmesh™ M2
Rds On (max) a Id, Vgs 365 mOhm @ 4A, 10V Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Altri nomi 497-15477-2 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 764pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 8A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)

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