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STL20N6F7

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Numero di parte STL20N6F7
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
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Numero di parte STL20N6F7 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 104455 pcs Scheda dati STL20N6F7
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (3.3x3.3) Serie STripFET™ F7
Rds On (max) a Id, Vgs 5.4 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 78W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Altri nomi 497-16117-1 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata N-Channel 60V 100A (Tc) 3W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)

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