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STI175N4F6AG

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Numero di parte STI175N4F6AG
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 79969 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte STI175N4F6AG fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 79969 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262) Serie STripFET™ F6
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7 mOhm @ 60A, 10V Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7735pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

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