STI175N4F6AG
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| Numero di parte | STI175N4F6AG |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.383 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | STI175N4F6AG | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 79969 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) | Serie | STripFET™ F6 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 60A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 38 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7735pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
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