STI20N60M2-EP
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| Numero di parte | STI20N60M2-EP |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.47 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | STI20N60M2-EP | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 64213 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.75V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 | Serie | MDmesh™ M2-EP |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 278 mOhm @ 6.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 787pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21.7nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
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- Parte#:
RG1608V-3571-B-T5 - Produttori:
Susumu - Descrizione:
RES SMD 3.57KOHM 0.1% 1/10W 0603 - Disponibile:
69163