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STH180N4F6-2

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Numero di parte STH180N4F6-2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 68786 pcs
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Numero di parte STH180N4F6-2 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 68786 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore H2Pak-2 Serie STripFET™ F6
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4 mOhm @ 60A, 10V Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7735pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

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