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STH250N55F3-6

STH250N55F3-6
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Numero di parte STH250N55F3-6
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 24053 pcs
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Numero di parte STH250N55F3-6 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 24053 pcs Scheda dati STH250N55F3-6
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore H²PAK Serie STripFET™ III
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6 mOhm @ 60A, 10V Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Altri nomi 497-11309-1 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 55V Descrizione dettagliata N-Channel 55V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)

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