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STGW8M120DF3

STGW8M120DF3
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Numero di parte STGW8M120DF3
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 42536 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs1020 pcs
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Numero di parte STGW8M120DF3 fabbricante STMicroelectronics
Descrizione TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 42536 pcs Scheda dati Power Mgmt Guide BrochureSTGW(A)8M120DF3 Datasheet
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.3V @ 15V, 8A Condizione di test 600V, 8A, 33 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 20ns/126ns di scambio energetico 390µJ (on), 370µJ (Off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 Serie M
Tempo di ripristino inverso (trr) 103ns Potenza - Max 167W
Contenitore / involucro TO-247-3 Altri nomi 497-17619
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT Trench Field Stop carica gate 32nC
Descrizione dettagliata IGBT Trench Field Stop 1200V 16A 167W Through Hole TO-247-3 Corrente - collettore Pulsed (Icm) 32A
Corrente - collettore (Ic) (max) 16A

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