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NAND512R3A2BZA6E

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Numero di parte NAND512R3A2BZA6E
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 9427 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)
1260 pcs
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Product parameter

Numero di parte NAND512R3A2BZA6E fabbricante STMicroelectronics
Descrizione IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 9427 pcs Scheda dati NAND128/256/512/01G-A (V7.0)
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 60ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V Tecnologia FLASH - NAND
Contenitore dispositivo fornitore 63-VFBGA (8.5x15) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 63-VFBGA
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria FLASH Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 60ns 63-VFBGA (8.5x15) Numero di parte base NAND512
Tempo di accesso 60ns

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