NAND512R3A2SE06
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| Numero di parte | NAND512R3A2SE06 |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology |
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | NAND512R3A2SE06 | fabbricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5348 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 50ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.95 V | Tecnologia | FLASH - NAND |
| Serie | - | temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | FLASH | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns | Tempo di accesso | 50ns |
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