UPA2660T1R-E2-AX
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| Numero di parte | UPA2660T1R-E2-AX |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 9000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.084 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | UPA2660T1R-E2-AX | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 264839 pcs | Scheda dati | UPA2660T1R |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-HUSON (2x2) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 62 mOhm @ 2A, 4.5V | Potenza - Max | 2.3W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-PowerWDFN |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 2.3W Surface Mount 6-HUSON (2x2) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
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