UPA2630T1R-E2-AX
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| Numero di parte | UPA2630T1R-E2-AX |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 7A 6SON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 9000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.086 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | UPA2630T1R-E2-AX | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 7A 6SON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 241873 pcs | Scheda dati | UPA2630T1R |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-HUSON (2x2) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 59 mOhm @ 3.5A, 1.8V | Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-PowerWDFN |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 12V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-HUSON (2x2) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
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