RQJ0303PGDQA#H6
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| Numero di parte | RQJ0303PGDQA#H6 |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RQJ0303PGDQA#H6 | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4589 pcs | Scheda dati | RQJ0303PGDQA |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | +10V, -20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 3-MPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 68 mOhm @ 1.6A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 3.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 3-MPAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Ta) |
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