NVD5C648NLT4G
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| Numero di parte | NVD5C648NLT4G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | T6 60V LL DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.183 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NVD5C648NLT4G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | T6 60V LL DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 110298 pcs | Scheda dati | NVD5C648NL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 45A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 72W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Produttore tempi di consegna standard | 21 Weeks |
| Stato senza piombo | Lead free | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 18A (Ta), 89A (Tc) 3.1W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 89A (Tc) |
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- Parte#:
HDWM-26-01-G-D-326-SM - Produttori:
Samtec, Inc. - Descrizione:
.050" BOARD SPACERS - Disponibile:
12072
