RJK60S7DPK-M0#T0
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| Numero di parte | RJK60S7DPK-M0#T0 |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.221 | $3.837 | $3.55 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RJK60S7DPK-M0#T0 | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 10942 pcs | Scheda dati | RJK60S7DPK-M0 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | +30V, -20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-3PSG | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 227.2W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi | RJK60S7DPKM0T0 | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Super Junction | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 30A (Tc) 227.2W (Tc) Through Hole TO-3PSG |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
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