RJK6025DPD-00#J2
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| Numero di parte | RJK6025DPD-00#J2 |
|---|---|
| fabbricante | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 1A MP3A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RJK6025DPD-00#J2 | fabbricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 1A MP3A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5986 pcs | Scheda dati | RJK6025DPD-00#J2 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 1mA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | MP-3A |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 17.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 29.7W (Tc) | imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Altri nomi | RJK6025DPD-00#J2DKR |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 37.5pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 1A (Ta) 29.7W (Tc) Surface Mount MP-3A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
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